服务热线：0535-2981985 
基于紫外光刻的无掩模激光直写光刻设备，用于晶圆级2D/2.5D微纳结构加工。 设备小巧紧凑型设计，无需掩模版，具备高直写速度、高分辨率等特点。采用集成化设计，全自动控制，操作简便，适合实验室科研需求及快速加工、建模或小批量生产。广泛应用于微流控、半导体、生物技术和微电子等研究领域。
|
模式
|
Nano
|
Standard
|
X
|
|
最小特征尺寸
|
0.3 µm
|
1 µm
|
4 µm
|
|
最小线间距
|
0.45 µm
|
1 µm
|
5 µm
|
|
对准精度 [3σ, nm]
|
0.5 µm
|
0.5 µm
|
1.0 µm
|
|
最大加工速度
|
4 mm
2
/min
|
30 mm
2
/min
|
300 mm
2
/min
|
|
光源
|
405 nm/365 nm
|
||
|
基材尺寸
|
50mm x 50mm 到8'' x 8''，可按照客户要求定制 10'' x 10''
|
||
|
基底厚度
|
0 -12 mm
|
||
|
最大曝光面积
|
50 x 50 mm
2
/ 100 x 100 mm
2
/ 200 x 200 mm
2 (定制)
|
||
|
环境控制系统
|
温度稳定性± 1 °C (± 0.1 °C 可选配)
|
||
|
实时界面自动聚焦
|
自动探测光刻胶和基底界面
|
||
|
自动聚焦补偿范围
|
180 µm
|
||
|
自动调平
|
自动校准基底表面倾斜，小于10微弧分辨率的调整精度
|
||
联系方式
E-mail
鲁公网安备37069302000943号