基于紫外光刻的无掩模激光直写光刻设备,用于晶圆级2D/2.5D微纳结构加工。 设备小巧紧凑型设计,无需掩模版,具备高直写速度、高分辨率等特点。采用集成化设计,全自动控制,操作简便,适合实验室科研需求及快速加工、建模或小批量生产。广泛应用于微流控、半导体、生物技术和微电子等研究领域。
模式
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Nano
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Standard
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X
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最小特征尺寸
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0.3 µm
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1 µm
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4 µm
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最小线间距
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0.45 µm
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1 µm
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5 µm
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对准精度 [3σ, nm]
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0.5 µm
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0.5 µm
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1.0 µm
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最大加工速度
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4 mm
2
/min
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30 mm
2
/min
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300 mm
2
/min
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光源
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405 nm/365 nm
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基材尺寸
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50mm x 50mm 到8'' x 8'',可按照客户要求定制 10'' x 10''
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基底厚度
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0 -12 mm
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最大曝光面积
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50 x 50 mm
2
/ 100 x 100 mm
2
/ 200 x 200 mm
2 (定制)
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环境控制系统
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温度稳定性± 1 °C (± 0.1 °C 可选配)
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实时界面自动聚焦
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自动探测光刻胶和基底界面
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自动聚焦补偿范围
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180 µm
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自动调平
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自动校准基底表面倾斜,小于10微弧分辨率的调整精度
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